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廈門(mén)韞茂科技有限公司成立于2018年,由硅谷海歸團隊創(chuàng )立,核心成員擁有超20年薄膜沉積工藝及設備開(kāi)發(fā)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗,2021年入選高新技術(shù)企業(yè),2022年入選廈門(mén)專(zhuān)精特新技術(shù)企業(yè),是一家以納米級薄膜沉積工藝技術(shù)為核心的多領(lǐng)域全棧式薄膜沉積方案供應商,為客戶(hù)提供全面的技術(shù)解決方案以及先進(jìn)的納米材料薄膜沉積裝備,針對先進(jìn)制造國產(chǎn)化的痛點(diǎn),開(kāi)發(fā)自主設備。

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  • 等離子體原子層沉積技術(shù)是一種薄膜制備方法,它在傳統原子層沉積(ALD)技術(shù)的基礎上,引入了等離子體輔助手段,從而實(shí)現了更高的沉積速率、更好的薄膜質(zhì)量和更廣泛的材料選擇。一、原理等離子體原子層沉積技術(shù)的基本原理與傳統ALD技術(shù)相似,都是基于自限制表面反應的原理。在PEALD過(guò)程中,首先通過(guò)脈沖式地向反應腔內通入前驅體氣體,使其在基體表面吸附并發(fā)生化學(xué)反應。隨后,通過(guò)等離子體源產(chǎn)生等離子體,激活已吸附的前驅體分子,促使其進(jìn)一步與反應氣體發(fā)生反應,形成薄膜。通過(guò)控制脈沖時(shí)間和等離子...
  • 電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是一種薄膜制備方法,它利用高能電子束將材料蒸發(fā)并沉積在基體上,形成一層薄膜。一、新材料制備的需求與挑戰新材料是推動(dòng)科技進(jìn)步的重要因素之一。隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對新材料的性能要求越來(lái)越高,這就需要在制備過(guò)程中實(shí)現對材料成分、結構和性能的精確控制。傳統的制備方法往往難以滿(mǎn)足這些要求,因此,尋求一種高效、可控的制備方法成為新材料領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。二、電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)具有以下顯著(zhù)特點(diǎn):高能量密度:電子束具有很高的能量密度,能夠使材料在短時(shí)間內達到蒸發(fā)溫度...
  • 分子層沉積技術(shù)是一種薄膜沉積方法,它通過(guò)逐層控制化學(xué)反應來(lái)精確控制薄膜的生長(cháng)。在半導體工業(yè)中,已經(jīng)成為制造集成電路的關(guān)鍵工藝之一,并展現出廣闊的應用前景。半導體工業(yè)對薄膜沉積技術(shù)的要求極為嚴格,因為薄膜的性質(zhì)直接影響到半導體器件的性能和壽命。之所以在這一領(lǐng)域受到重視,原因在于它具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):1.厚度控制:可以精確地控制薄膜的原子層厚度,這對于制造納米尺度的半導體器件尤其重要。2.表面覆蓋:可以很好地覆蓋復雜形狀的基材表面,這對于形成均勻的薄膜是至關(guān)重要的。3.溫度適應性:...

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  • 原子層沉積系統和化學(xué)氣相沉積是兩種廣泛應用于薄膜制備的技術(shù)。它們各自具備特點(diǎn)和優(yōu)勢,但在應用場(chǎng)景和性能表現上也存在顯著(zhù)差異。一、基本原理原子層沉積系統:基于自限制表面反應原理,通過(guò)交替通入前驅體氣體和吹掃氣體,實(shí)現薄膜的逐層生長(cháng)。在每個(gè)生長(cháng)周期中,前驅體氣體在基體表面吸附并發(fā)生化學(xué)反應,形成單層薄膜。通過(guò)控制生長(cháng)周期數,可以精確控制薄膜的厚度?;瘜W(xué)氣相沉積(CVD):CVD技術(shù)是通過(guò)將氣態(tài)前驅體導入反應室,在高溫下使其發(fā)生化學(xué)反應并沉積在基體表面形成薄膜。CVD過(guò)程通常涉及氣...
  • 高效能磁控濺射鍍膜機是現代薄膜制備技術(shù)的重要工具,其技術(shù)細節和應用案例廣泛且深入。以下是對其技術(shù)細節和應用案例的簡(jiǎn)要介紹:一、技術(shù)細節靶材與基片的處理:為確保濺射效果,靶材背面和濺射靶表面的結合經(jīng)過(guò)特殊處理,以減少接觸電阻,防止靶材發(fā)熱升溫,確保鍍膜質(zhì)量。調整靈活性:基片和靶材之間的距離以及磁控濺射靶頭的角度均可調整,以適應不同靶材的成膜工藝要求,并優(yōu)化鍍膜的均勻性。一體化柜式結構:設備采用一體化柜式結構,占地面積小,且操作安全性高。先進(jìn)的控制系統:采用計算機+PLC兩級控制...
  • 磁控濺射鍍膜機作為一種先進(jìn)的表面處理技術(shù),具有顯著(zhù)的優(yōu)勢,同時(shí)也存在一些劣勢。以下是針對其優(yōu)勢和劣勢的詳細分析:優(yōu)勢:基板低溫性:相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來(lái)說(shuō),磁控濺射加熱少,有利于實(shí)現織物的上濺射。高沉積率:在沉積大部分的金屬薄膜,尤其是高熔點(diǎn)的金屬和氧化物薄膜時(shí),如濺射鎢、鋁薄膜和反應濺射TiO2、ZrO2薄膜,具有很高的沉積率。環(huán)保工藝:磁控濺射鍍膜法生產(chǎn)效率高,且沒(méi)有環(huán)境污染,相較于傳統的濕法電鍍具有明顯優(yōu)勢。涂層牢固性好:濺射薄膜與基板有著(zhù)的附著(zhù)力,機械強度也得到了改...

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