雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統

一、核心參數：  

產(chǎn)地類(lèi)別：國產(chǎn)原子層沉積系統（ALD）  

襯底尺寸：6寸  

工藝溫度：RT-300℃  

前驅體數：最大可包括3組等離子體反應氣體，8組液體或固體反應前驅體  

重量：300KG  

尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm  

均勻性：99%  

二、原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。  

三、產(chǎn)品描述：  

廈門(mén)韞茂科技公司的雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統（QBT-T），設備采用雙腔體設計，腔體之間可實(shí)現獨立控制，雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設計，使設備可以在平片上實(shí)現等離子體ALD的生長(cháng)工藝以及粉末ALD包覆工藝，設備配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統，保證工藝溫度均勻。該系統具有粉末樣品桶、晶圓載盤(pán)、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級安全控制，以及現場(chǎng)RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設計選項。是*能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導體領(lǐng)域研究與應用的最佳研發(fā)工具之一。  

四、廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統QBT-T的參數、價(jià)格、型號、原理等信息，QBT-T產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號為QBT-T，價(jià)格為100萬(wàn)-200萬(wàn)RMB，更多相關(guān)信息可咨詢(xún)，公司客服電話(huà)7*24小時(shí)為您服務(wù)。

五、技術(shù)參數：