原子層沉積設備廠(chǎng)家（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

桌面式原子層沉積系統ALD（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

正極材料包覆（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

粉體包覆（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

桌面式原子層沉積系統PALD廠(chǎng)家（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

粉末ALD廠(chǎng)家（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

雙腔室高真空等離子體ALD設備是對ALD技術(shù)的擴展，通過(guò)等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅體物質(zhì)的反應活性，從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求，縮短了反應周期的時(shí)間，同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。